Магазин компонентов

Компоненты

Компонент	Категория	Цена	Покупка
2N6287 Тип: Кремниевый мощный составной транзистор (PNP Darlington Transistor) Напряжение (Vce): 100 В Ток коллектора (Ic): 20 А (постоянный), 40 А (пиковый) Мощность (Pd): 160 Вт Корпус: TO-3 (металлический «герметичный») Применение: Линейные регуляторы, усилители мощности, управление мощными двигателями и реле Особенности: Очень высокий коэффициент усиления (Hfe), встроенные защитные диоды и резисторы	Транзисторы	50.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
IXTQ82N25P Тип: Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET (серия PolarHT™) Напряжение (Vds): 250 В Ток стока (Id): 82 А Мощность (Pd): 540 Вт Корпус: TO-220 (версия IXTQ) Применение: Импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, системы бесперебойного питания (UPS), управление двигателями Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, высокая устойчивость к лавинному пробою, быстрый затвор	Транзисторы	50.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
50JR22 Тип: Высокоскоростной IGBT-транзистор с полевым управлением (Discrete IGBT) Напряжение (Vce): 600 В Ток коллектора (Ic): 50 А (при 100°C) Корпус: TO-3P / TO-247 Применение: Инверторные печи, индукционные плиты, сварочные аппараты, мощные системы плавного пуска Особенности: Встроенный быстродействующий диод (FRD), низкое напряжение насыщения, высокая скорость переключения	Транзисторы	50.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
NCE4688 Тип: Complementary N- and P-Channel Enhancement Mode MOSFET Корпус: SOP-8 Напряжение (Vds): 30 В (N-канал) / -30 В (P-канал) Ток (Id): 8.0 А (N-канал) / -7.0 А (P-канал) Применение: Управление двигателями постоянного тока, инверторы ЖК-панелей, переключатели нагрузки	Транзисторы	10.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
W15NK90Z Тип: N-канальный силовой MOSFET Напряжение (Vds): 900 В Ток стока (Id): 15 А Мощность (Pd): 350 Вт Корпус: TO-247 Применение: Импульсные блоки питания (SMPS), сварочные инверторы, промышленное оборудование Особенности: Встроенная защита затвора (Zener-protected), очень высокое рабочее напряжение	Транзисторы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
IRF9Z34N Тип: P-канальный MOSFET (HEXFET® Power MOSFET) Напряжение (Vdss): -55 В Ток стока (Id): -19 А Сопротивление (Rds on): 0.100 Ом Корпус: TO-220AB Особенности: Управление логическим уровнем не требуется (стандартное), быстрая коммутация, прочная конструкция	Транзисторы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
IRFZ24N Тип: N-канальный силовой MOSFET (серия Generation 5) Напряжение (Vds): 55 В Ток стока (Id): 17 А Корпус: TO-220AB Применение: Низковольтные DC-DC преобразователи, управление двигателями, реле, автомобильная электроника Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, сверхбыстрое переключение	Транзисторы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
AO4606 Тип: Двойной комплементарный MOSFET (N-Channel + P-Channel) Напряжение (Vds): 30 В (N-Ch) / -30 В (P-Ch) Ток стока (Id): 6.9 А (N-Ch) / -6 А (P-Ch) Корпус: SOP-8 Применение: Инверторы подсветки мониторов, управление двигателями, переключатели нагрузки Особенности: Два разных транзистора в одном корпусе (сборка), низкое сопротивление канала	Транзисторы	10.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
SI9945A Тип: Двойной N-канальный силовой MOSFET Напряжение (Vds): 60 В Ток стока (Id): 3.7 А (при 25°C) Корпус: SOP-8 Применение: Управление двигателями постоянного тока, коммутация нагрузки, портативная электроника Особенности: Два идентичных N-канальных транзистора в одном корпусе (двойная сборка)	Транзисторы	10.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
BSP298 Тип: P-канальный SIPMOS силовой MOSFET Напряжение (Vds): -60 В Ток стока (Id): -2.3 А Мощность (Pd): 1.8 Вт Корпус: SOT-223 Применение: Реле, управление нагрузкой «по плюсу», высокоскоростное переключение Особенности: Logic Level (управляется логическими уровнями), быстрая скорость переключения	Транзисторы	20.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
STN851 Тип: Сверхмощный биполярный NPN транзистор (Low Saturation Bipolar Transistor) Напряжение (Vce): 60 В Ток коллектора (Ic): 5 А (постоянный), 10 А (пиковый) Напряжение насыщения (Vce(sat)): < 0.2 В (при Ic = 2 А) Корпус: SOT-223 Применение: Линейные регуляторы тока, драйверы мощных светодиодов, управление затворами MOSFET, замена MOSFET в низковольтных схемах Особенности: Исключительно низкое напряжение насыщения (Low SAT), высокая энергоэффективность	Транзисторы	15.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
STN951 Тип: Сверхмощный биполярный PNP транзистор (Low Saturation Bipolar Transistor) Напряжение (Vce): -60 В Ток коллектора (Ic): -5 А (постоянный), -10 А (пиковый) Напряжение насыщения (Vce(sat)): < -0.25 В (при Ic = -2 А) Корпус: SOT-223 Применение: Линейные регуляторы тока, управление нагрузкой по «плюсу», схемы защиты от переполюсовки, драйверы затворов MOSFET Особенности: Исключительно низкое напряжение насыщения (Low SAT), идеальная комплементарная пара для NPN транзистора STN851	Транзисторы	15.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.

Товары и модули

Товар	Категория	Цена	Покупка
TOP266VG Тип: Интегрированный автономный переключатель (серия TOPSwitch-JX) Напряжение встроенного MOSFET: 725 В Ток / частота ШИМ: Ограничение тока 2.12 А / 132 кГц Корпус: eDIP-12 (вертикальный монтаж) Применение: LCD-мониторы, бытовая электроника, компактные адаптеры (до 30-50 Вт) Особенности: Оптимизирован для высокого КПД во всем диапазоне нагрузок	ШИМ и драйверы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
TOP264VG Тип: Интегрированный автономный переключатель (серия TOPSwitch-JX) Напряжение встроенного MOSFET: 725 В Ток / частота ШИМ: Ограничение тока 1.47 А / 132 кГц Корпус: eDIP-12 (вертикальный монтаж) Применение: Зарядные устройства, адаптеры, дежурные БП, мелкая бытовая техника (до 20-30 Вт) Особенности: Самый маломощный представитель линейки в корпусе eDIP, высокий КПД на малых нагрузках	ШИМ и драйверы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
FAN7387 Тип: Высоковольтный драйвер затвора (Self-Oscillating Half-Bridge Driver) Напряжение (Voffset): до 600 В Выходной ток: +350 мА / -650 мА Корпус: SOP-8 Применение: Балласты люминесцентных ламп, источники питания, управление затворами MOSFET/IGBT в полумостовых схемах Особенности: Встроенный генератор (аналог таймера 555), возможность внешней синхронизации, "мертвое время" (deadtime)	ШИМ и драйверы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
5340czz Тип: Стереофонический аудио АЦП (Delta-Sigma) Разрядность: 24 бит Частота дискретизации: до 192 кГц Динамический диапазон: 101 дБ Интерфейс: I2S / Left-Justified (последовательный цифровой аудио выход) Корпус: TSSOP-16	Усилители	20.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
H11G1 Тип: Оптопара с выходом Дарлингтона Напряжение изоляции: 5300 В (среднекв.) Максимальное напряжение выхода (Vce): 100 В Максимальный ток коллектора (Ic): 150 мА Корпус: DIP-6 / SM-6 Применение: Интерфейсы микроконтроллеров, управление реле, замена электромеханических реле, гальваническая развязка	Оптоэлектроника	20.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
FA6A20N Тип: Комбинированный PFC + LLC Резонансный контроллер (2-в-1) Напряжение питания (VCC): 10 – 24 В (Старт при 12 В) Напряжение встроенного MOSFET (PFC): Управляет внешним ключом Напряжение запуска (HV): до 600 В (Пин 16) Корпус: SOP-16 Применение: БП телевизоров, мониторов, мощные адаптеры (100-300 Вт) Особенности: Встроенный высоковольтный запуск, защита от перенапряжения (OVP), защита от пониженного напряжения (Brown-out), мягкий старт.	ШИМ и драйверы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
6B20 Тип: Интегрированный контроллер PFC + LLC (2-в-1) Напряжение питания (VCC): 10 – 24 В Напряжение запуска (HV): до 600 В Корпус: SOP-16 Применение: Блоки питания ТВ, мониторов, промышленная электроника (100–300 Вт) Особенности: Это та же микросхема FA6A20N (маркировка 6A20), совмещающая корректор мощности и резонансный контроллер.	ШИМ и драйверы	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.
TLP250H Тип: Изолированный IGBT/MOSFET драйвер затвора (GaAlAs IRED + IC) Напряжение питания (Vcc): 10 – 30 В Выходной ток (Peak): ±2.5 А Напряжение изоляции: 3750 Vrms Корпус: DIP-8 (или опция GW для поверхностного монтажа) Применение: Инверторы для кондиционеров, индукционный нагрев, управление затворами IGBT/MOSFET в промышленных приводах Особенности: Высокая скорость (0.5 мкс), низкое энергопотребление, заменяет классический TLP250 (индекс "H" указывает на расширенный температурный диапазон до 125°C)	Оптоэлектроника	30.0 TMT	ВОЙТИ
Отзывы покупателей о качестве товара Пока отзывов нет. Войдите и купите товар, чтобы оставить отзыв.