Основные технические характеристики • Тип корпуса: TO-3PF (изолированный пластиковый корпус повышенной мощности, 5 выводов) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Сопротивление открытого канала (R_{DS(on)}): 0.92 Ом (макс.) • Максимальный ток пульсаций (I_{D}): 14 А • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 190 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 115 Вт • Режим работы: Квазирезонансный (минимальные потери при переключении, высокий КПД) • Энергосбережение: Функция автоматического перехода в режим пониженного потребления при минимальной нагрузке. Комплекс встроенных защит • Пошаговая защита от перегрузки по току (Over-Current Protection) • Защита от перенапряжения (OVP) с защелкой • Тепловая защита (Thermal Shutdown) с защелкой • Защита от пониженного напряжения питания (UVLO) Назначение выводов (Pinout) 1. OCP / FB — Защита от перегрузки по току / Обратная связь 2. S (Source) — Исток встроенного MOSFET-транзистора 3. D (Drain) — Сток встроенного MOSFET-транзистора 4. VCC — Питание микросхемы 5. GND — Общий / Земля

Основные технические характеристики • Тип корпуса: TO-220F-6L (полностью изолированный, 6 выводов) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Сопротивление открытого канала (R_{DS(on)}): 1.95 Ом (макс.) • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 58 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 40 Вт • Режим работы: Квазирезонансный (минимальный уровень ЭМП, высокий КПД) • Энергосбережение: Поддержка режима «ожидания» (Burst Mode) с пониженным собственным потреблением при малых нагрузках. Комплекс встроенных защит • Пошаговая защита от перегрузки по току (OCP) • Защита от перенапряжения (OVP) с защелкой • Тепловая защита (TSD) с защелкой • Блокировка при пониженном напряжении питания (UVLO) Назначение выводов (Pinout) 1. D (Drain) — Сток встроенного MOSFET-транзистора 2. GND — Общий / Земля 3. VCC — Питание микросхемы 4. SS / OLP — Мягкий старт / Защита от перегрузки 5. FB (Feedback) — Обратная связь (контроль выходного напряжения) 6. OCP / BD — Защита от перегрузки по току / Обнаружение демагнетизации трансформатора

Основные технические характеристики • Тип корпуса: TO-220F-5L (изолированный пластик, 5 выводов с формовкой) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Минимальное напряжение лавинного пробога (V_{BR(DSS)}): 650 В • Выходная мощность: Оптимизирована для сетевых блоков питания средней мощности (обычно в пределах 40–60 Вт в зависимости от конструкции трансформатора и теплоотвода). • Режим работы: Квазирезонансный (мягкое переключение, минимизирующее потери энергии и уровень электромагнитного излучения). • Энергосбережение: Переход в режим ожидания с пониженным энергопотреблением при малых нагрузках. Комплекс встроенных защит • Пошаговая защита от перегрузки по току (Over-Current Protection) • Защита от перенапряжения (OVP) с защелкой • Тепловая защита (Thermal Shutdown) с защелкой • Блокировка при пониженном напряжении питания (UVLO) Назначение выводов (Pinout) 1. D (Drain) — Сток встроенного MOSFET-транзистора 2. S (Source) — Исток встроенного MOSFET-транзистора / Земля 3. VCC — Питание микросхемы 4. FB (Feedback) — Обратная связь / Регулировка напряжения 5. OCP / BD — Защита от перегрузки по току / Обнаружение демагнетизации

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SOP-8 / SOIC-8 (для поверхностного монтажа, 8 выводов) • Тип силового ключа: Встроенный высоковольтный полевой транзистор (MOSFET) • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 12 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 8 Вт • Режим работы: Частотно-импульсная модуляция (PFM/PWM) с функцией снижения частоты при уменьшении нагрузки для максимального энергосбережения. Комплекс встроенных защит • Пошаговая защита от перегрузки по току (OCP) • Защита от перенапряжения по питанию (OVP) • Автоматический перезапуск при коротком замыкании на выходе (OLP) • Защита от перегрева (Thermal Shutdown) с автовосстановлением Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (GND): Общий вывод / заземление управляющей схемы. • Pin 2 (FB): Вход обратной связи (Feedback) для стабилизации выходного напряжения (подключается к оптопаре). • Pin 3 (VCC): Вывод питания микросхемы. • Pin 4 (CS): Вход датчика тока (Current Sense) для защиты от перегрузки. • Pin 5, 6, 7, 8 (Drain): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора (выводы объединены для лучшего отвода тепла на плату).

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 (DIP-7, вывод №6 отсутствует для обеспечения безопасного высоковольтного зазора) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Сопротивление открытого канала (R_{DS(on)}): 1.9 Ом (макс.) • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 22 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 15 Вт • Рабочая частота ШИМ: 67 кГц (с функцией частотного джиттера для уменьшения фильтров ЭМП) • Энергосбережение: Автоматический переход в режим «микропотребления» (Burst mode) при отсутствии или падении нагрузки. Комплекс встроенных защит • Пошаговая поимпульсная защита от перегрузки по току (OCP) • Защита от перегрузки по мощности (OLP) с автовосстановлением • Защита от перенапряжения по питанию (OVP) • Тепловая защита (TSD) с автоматическим перезапуском после остывания Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (D/ST): Сток встроенного MOSFET / Вход цепи запуска (Startup) • Pin 2 (S/GND): Исток встроенного MOSFET / Общий вывод схемы • Pin 3 (VCC): Вход питания микросхемы • Pin 4 (FB): Вход обратной связи (Feedback) для стабилизации напряжения (от оптопары) • Pin 5 (BR): Вход датчика выпрямленного напряжения сети (Brown-In / Brown-Out) • Pin 6: Вывод отсутствует (зазор безопасности) • Pin 7 (S/GND): Исток встроенного MOSFET / Общий вывод схемы • Pin 8 (S/GND): Исток встроенного MOSFET / Общий вывод схемы

Технические характеристики • Тип корпуса: ZIP-9 (SIP-9 с формовкой выводов, массивный изолированный корпус повышенной мощности) • Встроенный силовой ключ: Высоковольтный биполярный транзистор (BPT) • Максимальное напряжение коллектор-база (V_{CBO}): 850 В • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_{CEO}): 550 В • Максимальный ток коллектора (I_{C}): 6 А (импульсный до 12 А) • Режим работы: Импульсный стабилизатор с токовым управлением. Комплекс встроенных защит • Защита от перегрузки по току (Over-Current Protection) • Тепловая защита (Thermal Shutdown) • Защита от перенапряжения Назначение выводов (Pinout) 1. VCC — Питание цепи управления 2. Base Drive — Вывод управления базой транзистора 3. Input / Feedback — Вход сигнала обратной связи 4. GND — Общий / Земля управляющей логики 5. Constant Current — Вывод цепи постоянного тока 6. Inhibition / Sync — Вывод блокировки / синхронизации 7. Emitter — Эмиттер силового транзистора 8. Collector — Коллектор силового транзистора 9. No Connection (NC) — Не используется

Основные технические характеристики • Тип корпуса: ZIP-9 (SIP-9 с формовкой выводов, массивный изолированный корпус повышенной мощности) • Встроенный силовой ключ: Высоковольтный биполярный транзистор (BPT) • Максимальное напряжение коллектор-база (V_{CBO}): 850 В • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_{CEO}): 550 В • Максимальный ток коллектора (I_C): 6 А (импульсный ток до 12 А) • Выходная мощность: Оптимизирована для источников питания мощностью до 140 Вт (при напряжении сети 220 В AC). • Режим работы: Импульсный стабилизатор с управлением по току и фиксированным временем выключения (OFF-time). Комплекс встроенных защит • Пошаговая защита от перегрузки по току (Over-Current Protection) • Защита от перенапряжения по цепи питания (OVP) • Тепловая защита (Thermal Shutdown) Назначение выводов (Pinout) 1. VCC — Питание схемы управления 2. Base Drive — Вывод управления базой силового транзистора 3. Input / Feedback — Вход сигнала обратной связи (контроль стабилизации) 4. GND — Общий / Земля управляющей логики 5. Constant Current — Вывод цепи постоянного тока / Мягкий старт 6. Inhibition / Sync — Вывод блокировки / Внешняя синхронизация 7. Emitter — Эмиттер силового транзистора 8. Collector — Коллектор силового транзистора 9. No Connection (NC) — Не используется

Основные технические характеристики • Тип корпуса: TO-220F-6L (полностью изолированный пластик, 6 выводов с формовкой) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Сопротивление открытого канала (R_{DS(on)}): 0.92 Ом (макс.) • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 140 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 90 Вт • Режим работы: Квазирезонансный (мягкое переключение снижает потери энергии и уровень сетевых помех). • Энергосбережение: Поддержка автоматического режима ожидания (Burst Mode) с минимальным собственным потреблением при отсутствии нагрузки. Комплекс встроенных защит • Пошаговая поимпульсная защита от перегрузки по току (OCP) • Защита от перегрузки по мощности/нагрузке (OLP) с защелкой • Защита от перенапряжения по цепи питания (OVP) с защелкой • Тепловая защита кристалла (TSD) с защелкой • Блокировка при пониженном напряжении питания (UVLO) Назначение выводов (Pinout) 1. D (Drain) — Сток встроенного MOSFET-транзистора 2. GND — Общий / Земля управляющей логики 3. VCC — Вход питания микросхемы 4. SS / OLP — Мягкий старт / Защита от перегрузки 5. FB (Feedback) — Обратная связь (контроль и стабилизация выходного напряжения) 6. OCP / BD — Вход датчика тока защиты / Обнаружение демагнетизации трансформатора

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 (вывод №6 отсутствует для обеспечения безопасного изоляционного зазора) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 14 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 12 Вт • Рабочая частота ШИМ: фиксированная (обычно 56–67 кГц в зависимости от ревизии) с функцией частотного джиттера для снижения уровня электромагнитных помех (EMI). • Энергосбережение: Потребление в режиме ожидания (без нагрузки) составляет менее 0.15 Вт (технология Burst Mode). Комплекс встроенных защит • Пошаговая поимпульсная защита от перегрузки по току (OCP) • Защита от перегрузки по мощности (OLP) • Защита от перенапряжения по питанию (OVP) • Защита от пониженного напряжения питания (UVLO) • Тепловая защита кристалла (TSD) с защелкой Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (GND): Общий вывод / Земля управляющей логики. • Pin 2 (FB): Вход обратной связи (Feedback) для контроля и стабилизации выходного напряжения (подключается к оптопаре). • Pin 3 (VCC): Вход питания микросхемы. • Pin 4 (CS): Вход датчика тока (Current Sense) встроенного MOSFET. • Pin 5 (Drain): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора. • Pin 6: Вывод отсутствует (высоковольтный зазор). • Pin 7 (Drain): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора. • Pin 8 (Drain): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SO-8C / SOIC-7 (для поверхностного SMD-монтажа, вывод №6 отсутствует для обеспечения безопасного высоковольтного зазора) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение: 725 В • Максимальная выходная мощность: • В закрытом корпусе адаптера (универсальный вход 85–264 В AC): до 6 Вт • В открытом исполнении платы (универсальный вход 85–264 В AC): до 8.5 Вт • В открытом исполнении (только сеть 230 В AC): до 11.5 Вт • Режим работы: ON/OFF управление (отсутствие компенсации петли обратной связи, быстрый отклик на динамическую нагрузку). • Частота переключений: 132 кГц (с функцией джиттера для снижения уровня электромагнитных помех). Комплекс встроенных защит • Автоматический перезапуск (Auto-Restart) при коротком замыкании и обрыве обратной связи • Защита от перенапряжения по выходу (OVP) с программируемым порогом • Защита от пониженного напряжения сети (Line Under-Voltage) • Интеллектуальная тепловая защита (Thermal Shutdown) с гистерезисом Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (EN/UV): Вход включения (Enable) и датчик пониженного напряжения сети (Under-Voltage). • Pin 2 (BP/M): Вывод подключения байпасного конденсатора (Bypass) / Выбор многофункционального режима (Multi-function). • Pin 3: Не используется (NC). • Pin 4 (D): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора (Drain). Вход цепи запуска. • Pin 5, 7, 8 (S): Исток встроенного MOSFET-транзистора (Source). Общий вывод схемы и земля для цепей управления.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SO-8C / SOIC-7 (низкопрофильный корпус для поверхностного SMD-монтажа; вывод №6 отсутствует для обеспечения безопасного высоковольтного зазора) • Встроенный силовой ключ: Высоковольтный полевой транзистор (Power MOSFET) • Максимальное напряжение сток-исток: 700 В • Максимальная выходная мощность: • В закрытом корпусе адаптера (универсальный вход 85–264 В AC): до 6.5 Вт • В открытом исполнении платы (универсальный вход 85–264 В AC): до 8.5 Вт • Режим управления: ON/OFF управление (обеспечивает мгновенный отклик на изменение нагрузки и стабильную работу без цепей компенсации). • Рабочая частота: До 132 кГц (с функцией джиттера/дрожания частоты для упрощения фильтрации электромагнитных помех). Комплекс встроенных защит • Защита от короткого замыкания на выходе и обрыва обратной связи с автоматическим перезапуском (Auto-Restart) • Защита от перенапряжения по выходу (OVP) • Защита от пониженного напряжения сети (Line Under-Voltage) • Тепловая защита кристалла (Thermal Shutdown) с температурным гистерезисом Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (EN/UV): Вход включения (Enable) / Вход датчика пониженного напряжения сети (Under-Voltage). Принимает сигнал обратной связи. • Pin 2 (BP/M): Вывод подключения внешнего байпасного конденсатора (Bypass) / Выбор режима ограничения тока (Multi-function). • Pin 3: Не используется (NC — No Connection). • Pin 4 (D): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора (Drain). Сюда же подключена внутренняя цепь высоковольтного запуска. • Pin 5, 7, 8 (S): Исток встроенного MOSFET-транзистора (Source). Общий вывод схемы и земля для цепи управления.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SOP-8 / SOIC-8 (для поверхностного SMD-монтажа, 8 выводов) • Тип управляемого ключа: Внешний полевой транзистор (Power MOSFET) • Рабочий режим: Boundary Conduction Mode (BCM) / Critical Conduction Mode (CRM) • Напряжение питания (V_{CC}): До 24 В (максимально допустимое — 26 В) • Выходной ток драйвера (Gate Drive): +500 мА (ток заряда) / -800 мА (ток разряда), что позволяет эффективно управлять затворами мощных MOSFET. • Ток потребления: Очень низкий рабочий ток (около 4.5 мА) и стартовый ток (не более 20 мкА). Комплекс встроенных защит • Защита от перенапряжения по выходу (OVP) со встроенным компаратором • Защита от обрыва цепи обратной связи (Open-Loop Protection) • Поимпульсное ограничение тока через силовой ключ (Cycle-by-Cycle Current Limiting) • Блокировка при пониженном напряжении питания (V_{CC} Under-Voltage Lockout — UVLO) Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (INV): Инвертирующий вход усилителя ошибки. Сюда заводится сигнал обратной связи по выходному напряжению. • Pin 2 (COMP): Выход усилителя ошибки. Используется для подключения цепи компенсации и стабилизации петли обратной связи. • Pin 3 (MULT): Вход множителя (Multiplier). Подключается через делитель к выпрямленному напряжению сети для задания формы тока. • Pin 4 (CS): Вход датчика тока (Current Sense). Служит для контроля тока через внешний MOSFET и защиты от перегрузки. • Pin 5 (ZCD): Вход обнаружения нулевого тока (Zero-Current Detection) в индукторе для синхронизации включения ключа. • Pin 6 (GND): Общий вывод схемы / Земля. • Pin 7 (OUT): Выход драйвера (Gate Drive) — подключается напрямую к затвору внешнего силового полевого транзистора. • Pin 8 (VCC): Вход питания микросхемы.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SOP-8 / SOIC-8 (для поверхностного SMD-монтажа, 8 выводов) • Тип управляемого ключа: Внешний полевой транзистор (Power MOSFET) • Режим работы: Квазирезонансный (минимизирует динамические потери при переключении благодаря поиску дна синусоиды напряжения) • Напряжение питания (V_{CC}): До 20 В (встроенная цепь запуска выдерживает до 500 В на выводе 8) • Энергосбережение: Функция автоматического перехода в режим пропуска импульсов (Skip Cycle) при отсутствии нагрузки, что снижает акустические шумы и общее потребление платы. Комплекс встроенных защит • Защита от перегрузки по току (Overcurrent Protection) со встроенным триггером защелки (Latch) • Защита от короткого замыкания на выходе (полная защита от перегрузки) • Защита от перенапряжения по цепи питания (OVP) • Внутренний таймер автоматического перезапуска Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (Demag): Вход обнаружения размагничивания трансформатора (подключается к вспомогательной обмотке для реализации квазирезонансного режима). • Pin 2 (FB): Вход обратной связи (Feedback). Сюда подключается коллектор оптопары для стабилизации напряжения. • Pin 3 (CS): Вход датчика тока (Current Sense). Мониторит ток через внешний MOSFET для защиты от перегрузок. • Pin 4 (GND): Общий вывод схемы / Земля. • Pin 5 (DRV): Выход драйвера (Drive) — мощный импульсный выход для прямого управления затвором внешнего полевого транзистора. • Pin 6 (VCC): Вход основного питания микросхемы (после запуска подпитывается от вспомогательной обмотки). • Pin 7: Не используется (NC — No Connection) для обеспечения безопасного расстояния до высоковольтного пина. • Pin 8 (HV): Высоковольтный вход запуска (High Voltage). Подключается напрямую к силовой шине постоянного тока (+310\text{ В}) для первичного старта микросхемы.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 (для монтажа в отверстия, 8 выводов) • Тип управляемого ключа: Внешний полевой транзистор (Power MOSFET) • Напряжение питания (V_{CC}): * Диапазон запуска: 11.2 – 13.5 В • Максимально допустимое напряжение: 20 В • Выходной ток драйвера (Gate Drive): До 1.5 А в импульсе, что позволяет стабильно управлять затворами мощных высоковольтных MOSFET. • Особенности топологии: Защита от перегрузки с контролем фазы и автоматический запуск после устранения короткого замыкания. Комплекс встроенных защит • Защита от пониженного напряжения питания сети (Brown-Out / Under-Voltage) • Защита от перенапряжения в цепи питания микросхемы (OVP) • Поимпульсное ограничение тока силового ключа (защита от перегрузки первичной обмотки) • Защита от короткого замыкания во вторичных цепях (плавный переход в режим «икоты» / Burst mode) Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (Information Input): Вход сигнала обратной связи. Сюда подается напряжение со вспомогательной обмотки трансформатора через делитель для контроля регулировки. • Pin 2 (Simulated Current): Вход имитации тока первичной обмотки (формируется с помощью внешней RC-цепочки). • Pin 3 (Range Monitoring): Вход контроля входного сетевого напряжения (детектор уровня сетевого напряжения для защиты от падения сети). • Pin 4 (GND): Общий вывод схемы / Земля. • Pin 5 (Output): Выход драйвера (Gate Drive). Подключается через ограничительный резистор к затвору силового полевого транзистора. • Pin 6 (VCC): Вход основного питания микросхемы. • Pin 7 (Soft Start): Вывод подключения конденсатора мягкого пуска (Soft Start) для предотвращения бросков тока при включении. • Pin 8 (Zero Detector): Вход детектора перехода через ноль (Zero-Crossing). Отслеживает размагничивание сердечника трансформатора для своевременного открытия MOSFET.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: SOP-8 / SOIC-8 (для поверхностного SMD-монтажа, 8 выводов) • Тип управляемого ключа: Внешний мощный полевой транзистор (Power MOSFET) • Режим работы: Непрерывный режим проводимости (CCM PFC) • Фиксированная рабочая частота: 67 кГц • Напряжение питания (V_{CC}): До 20 В (типовое стартовое напряжение запуска — 13.2 В) • Выходной ток драйвера (Gate Drive): Встроенный мощный каскад обеспечивает пиковые токи до +1.5 А (ток заряда) и -1.5 А (ток разряда) для быстрого переключения затворов высоковольтных MOSFET. Комплекс встроенных защит • Защита от перенапряжения по выходу (OVP) • Защита от пониженного напряжения сети (Brown-Out Protection) • Ограничение максимальной выходной мощности каскада PFC • Поимпульсное ограничение тока через силовой ключ (Overcurrent Protection) • Защита от обрыва или короткого замыкания в цепи обратной связи (FB) Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (FB / OVP): Вход обратной связи и защиты от перенапряжения. Сюда подается сигнал с выходного высоковольтного делителя напряжения. • Pin 2 (Vcontrol): Выход усилителя ошибки. Используется для подключения внешней компенсирующей RC-цепочки, задающей стабильность петли регулирования. • Pin 3 (Iavg): Вывод подключения конденсатора фильтра среднего значения тока для контроля формы входного тока. • Pin 4 (CS): Вход датчика тока (Current Sense). Служит для мониторинга тока через силовой транзистор и защиты схемы от перегрузки. • Pin 5 (Vins): Вход датчика среднеквадратичного сетевого напряжения (используется для защиты от просадок сети Brown-Out). • Pin 6 (GND): Общий вывод схемы / Земля. • Pin 7 (DRV): Выход драйвера (Gate Drive) — импульсный выход для прямого управления затвором внешнего полевого транзистора каскада PFC. • Pin 8 (VCC): Вход питания микросхемы.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 (для монтажа в отверстия, 8 выводов) • Встроенный силовой ключ: Высоковольтный биполярный транзистор (BJT) • Максимальное выдерживаемое напряжение на коллекторе (V_{CBO}): 700 В • Максимальная выходная мощность: • В закрытом корпусе адаптера (универсальный вход 85–264 В AC): до 12 Вт • В открытом исполнении платы (универсальный вход 85–264 В AC): до 18 Вт • Рабочая частота ШИМ: фиксированная, около 60 кГц. • Энергосбережение: Технология автоматического снижения частоты при уменьшении нагрузки позволяет добиться потребления менее 0.25 Вт в режиме холостого хода. Комплекс встроенных защит • Помикросекундное ограничение максимального тока силового ключа • Защита от перегрузки по мощности и короткого замыкания на выходе • Тепловая защита кристалла (Thermal Shutdown) • Встроенная схема температурной компенсации для стабильной работы при нагреве Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (OB): Вывод управления базой встроенного силового транзистора (используется для запуска и первоначального смещения). • Pin 2 (VCC): Вход основного питания микросхемы (после старта подпитывается от вспомогательной обмотки трансформатора). • Pin 3 (IS): Вход датчика тока (Current Sense). Подключается к эмиттеру силового транзистора для контроля перегрузок. • Pin 4 (FB): Вход обратной связи (Feedback). Сюда подключается фототранзистор оптопары для точной стабилизации выходного напряжения. • Pin 5, 6 (GND): Общий вывод схемы / Земля управляющей логики. • Pin 7, 8 (OC): Коллектор встроенного высоковольтного силового транзистора. Выводы подключаются к первичной обмотке импульсного трансформатора.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 для монтажа в отверстия) • Встроенный силовой ключ: Высоковольтный биполярный транзистор (BJT) • Максимальное выдерживаемое напряжение на коллекторе (V_{CBO}): 700 В • Максимальная выходная мощность: • В закрытом корпусе адаптера (универсальный вход 85–264 В AC): до 5 Вт • В открытом исполнении платы (универсальный вход 85–264 В AC): до 8 Вт • Рабочая частота ШИМ: фиксированная, около 60–66 кГц. • Энергосбережение: Автоматический переход в режим сниженного потребления при уменьшении тока нагрузки (Burst Mode), что обеспечивает высокую эффективность на холостом ходу. Комплекс встроенных защит • Помикросекундное ограничение максимального тока через силовой транзистор • Защита от перегрузки по мощности (OLP) • Защита от короткого замыкания на выходе (OSCP) с автоматическим выходом из режима защиты после устранения КЗ • Внутренняя термокомпенсация для защиты параметров от дрейфа при нагреве Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (OB): Вывод управления базой встроенного силового транзистора (используется для запуска схемы и первоначального смещения). • Pin 2 (VCC): Вход основного питания микросхемы (после старта подпитывается от вспомогательной обмотки трансформатора). • Pin 3 (IS): Вход датчика тока (Current Sense). Подключается к эмиттеру силового транзистора для контроля перегрузок схемы. • Pin 4 (FB): Вход обратной связи (Feedback). Подключается к фототранзистору оптопары для стабилизации выходного напряжения. • Pin 5, 6 (GND): Общий вывод схемы / Земля управляющей логики. • Pin 7, 8 (OC): Коллектор встроенного высоковольтного силового транзистора. Выводы подключаются к первичной обмотке импульсного трансформатора.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-7 / DIP-8 (вывод №6 удален на заводе для обеспечения безопасного высоковольтного зазора) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное пробивное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 800 В • Сопротивление открытого канала (R_{DS(on)}): 20 Ом (типовое) • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC: до 12 Вт • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 7 Вт • Рабочая частота ШИМ: 60 кГц (фиксированная, со встроенным джиттером) • Энергосбережение: Сверхнизкое потребление в режиме ожидания (менее 50 мВт в режиме Burst Mode при отсутствии нагрузки). Комплекс встроенных защит • Регулируемая пороговая защита от перегрузки по току (Overcurrent Protection — OCP) • Защита от перенапряжения по цепи питания (OVP) с автоматическим перезапуском • Защита от перегрузки по мощности (OLP) • Тепловая защита кристалла (Thermal Shutdown) с гистерезисом Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (GND): Общий вывод схемы / Земля управляющей логики. • Pin 2 (FB): Вход обратной связи (Feedback). Сюда подключается оптопара для точной стабилизации выходного напряжения. • Pin 3 (LIM): Вход ограничения тока. Подключение внешнего резистора на землю позволяет точно настроить порог защиты OCP под конкретную плату. • Pin 4 (VCC): Вход основного питания микросхемы и цепи автоперезапуска. • Pin 5 (DRAIN): Сток встроенного высоковольтного MOSFET-транзистора. Вход цепи внутреннего высоковольтного старта. • Pin 6: Вывод отсутствует (зазор безопасности). • Pin 7, 8 (DRAIN): Сток встроенного MOSFET-транзистора (объединены с Pin 5 для лучшего отвода тепла).

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-8 (для монтажа в отверстия, 8 выводов) • Встроенный силовой ключ (SenseFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 650 В • Максимальный импульсный ток: 4 А • Максимальная выходная мощность: • При сетевом напряжении 230 В AC (\pm15\%): до 16 Вт (в закрытом корпусе адаптера) / до 22 Вт (в открытом исполнении платы) • В универсальном диапазоне (85–264 В AC): до 12 Вт (в адаптере) / до 16 Вт (в открытой плате) • Рабочая частота: Фиксированная частота переключений (обычно около 67 кГц) с модуляцией частоты (джиттер). • Энергосбережение: Технология Burst-Mode переводит микросхему в режим микропотребления при отсутствии нагрузки, снижая потери энергии до минимума. Комплекс встроенных защит • Помикросекундное поимпульсное ограничение тока (Current Limit) • Защита от перегрузки по мощности (OLP) с задержкой срабатывания • Защита от перенапряжения по питанию (OVP) • Защита от короткого замыкания аномального характера (AOCP) • Тепловая защита кристалла (Thermal Shutdown) с автовосстановлением Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (GND): Общий вывод схемы / Земля управляющей логики. • Pin 2 (VCC): Вход питания микросхемы (после старта подпитывается от вспомогательной обмотки трансформатора). • Pin 3 (Vfb): Вход сигнала обратной связи (Feedback). Сюда подключается оптопара для регулировки и стабилизации выходного напряжения. • Pin 4 (Sync): Вход синхронизации для квазирезонансного переключения (отслеживает момент размагничивания сердечника). • Pin 5, 6, 7, 8 (Drain): Сток встроенного высоковольтного силового ключа SenseFET. Сюда же подключена внутренняя цепь высоковольтного пуска.

Основные технические характеристики • Тип корпуса: DIP-7 / DIP-8 (вывод №6 отсутствует на заводе для обеспечения изоляционного высоковольтного зазора) • Встроенный силовой ключ (MOSFET): • Максимальное напряжение сток-исток (V_{DSS}): 700 В • Максимальная выходная мощность: • В универсальном диапазоне напряжений (85–264 В AC): до 5 Вт • При фиксированном сетевом напряжении 230 В AC (\pm15\%): до 7 Вт • Рабочая частота ШИМ: фиксированная, 134 кГц (высокая частота позволяет использовать ферритовые трансформаторы сверхмалых габаритов). • Энергосбережение: Минимальное потребление тока в режиме холостого хода. Комплекс встроенных защит • Встроенная поимпульсная токовая защита первичной цепи (Overload Protection — OLP) • Внутренняя термозащита (Thermal Shutdown — TSD) с температурным гистерезисом • Защита от перенапряжения и просадок питающего напряжения (UVLO) Назначение выводов (Pinout) • Pin 1 (GND): Общий вывод схемы / Земля управляющей логики. • Pin 2 (VCC): Вывод для подключения внешнего сглаживающего конденсатора внутренней цепи питания микросхемы. • Pin 3 (Vfb): Вход сигнала обратной связи (Feedback). Подключается к оптопаре для стабилизации выходного напряжения. • Pin 4 (Vstr): Вход цепи запуска (Startup). Подключается непосредственно к высоковольтной шине постоянного тока (+310\text{ В}) после диодного моста. • Pin 5 (Drain): Сток встроенного высоковольтного полевого транзистора (MOSFET). • Pin 6: Вывод отсутствует (зазор безопасности между высоковольтными и низковольтными цепями). • Pin 7, 8 (GND): Выводы заземления (объединены с Pin 1 внутри корпуса для эффективного рассеивания тепла через плату).