S9013 (j3) S9013 (j3)
BC817-40 (6C) BC817-40 (6C)
FDPF33N25T FDPF33N25T
2SC1623 (L6) 2SC1623 (L6)
MMBT5401 (2L) MMBT5401 (2L)
S9015 (M6) S9015 (M6)
2N7002 (7002) 2N7002 (7002)
FQPF7P20 FQPF7P20
S9014 (J6) S9014 (J6)
MMBT3904 MMBT3904
MMBT5551 (G1) MMBT5551 (G1)
BC807-40 (5C) BC807-40 (5C)
2SC3356 2SC3356
IRF740 IRF740

Категория: Транзисторы

Сбросить фильтр

Транзисторы

Транзисторы

FDPF33N25T

Тип: N-канальный силовой MOSFET (UniFET™) Напряжение (Vds): 250 В Ток стока (Id): 33 А Корпус: TO-220F (Full Pack — полностью изолированный) Применение: Блоки питания (SMPS), аудио-усилители, преобразователи DC-DC, управление двигателями Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, высокая скорость переключения, изолированный корпус упрощает монтаж на радиатор.
Транзисторы

IRF740

Тип: N-канальный силовой MOSFET Напряжение (Vds): 400 В Ток стока (Id): 10 А (при 25°C) Корпус: TO-220 Применение: Импульсные блоки питания (SMPS), инверторы, управление двигателями, освещение Особенности: "Классический" высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Транзисторы

FQPF7P20

Тип: P-канальный силовой MOSFET (QFET®) Напряжение (Vds): -200 В Ток стока (Id): -5.2 А (при 25°C) Корпус: TO-220F (Full Pack — полностью изолированный) Применение: Активные фильтры, управление нагрузкой по «плюсу», высоковольтные переключатели, аудио-усилители Особенности: Изолированный корпус, низкий заряд затвора, улучшенная стойкость к переходным процессам
Транзисторы

MMBT5401 (2L)

Тип: Высоковольтный биполярный PNP транзистор Напряжение (Vce): -150 В Ток коллектора (Ic): -600 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 2L Применение: Высоковольтные переключатели, усилители видеосигнала, схемы управления телефонными линиями, промышленные контроллеры
Транзисторы

BC817-40 (6C)

Тип: NPN маломощный биполярный транзистор Напряжение (Vce): 45 В Ток коллектора (Ic): 500 мА (0.5 А) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 6C (указывает на серию BC817-40) Применение: Универсальный переключатель, драйвер реле, усиление сигналов, логические интерфейсы
Транзисторы

2SC3356

Тип: Высокочастотный NPN транзистор (Low Noise Amplifier) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: R25 Применение: ВЧ-усилители, генераторы (VCO), тюнеры, системы дистанционного управления (433/868 МГц) Особенности: Очень высокая граничная частота (7 ГГц) и низкий уровень шума
Транзисторы

S9013 (j3)

Тип: NPN биполярный транзистор средней мощности Напряжение (Vce): 25 В Ток коллектора (Ic): 500 мА (0.5 А) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: J3 Применение: Усилители звуковой частоты, драйверы реле, логические переключатели, игрушки Особенности: Относительно высокий ток для малого корпуса, часто встречается в паре с S9012 (PNP)
Транзисторы

MMBT5551 (G1)

Тип: Высоковольтный биполярный NPN транзистор Напряжение (Vce): 160 В Ток коллектора (Ic): 600 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: G1 Применение: Высоковольтные переключатели, усилители мощности, газоразрядные индикаторы, промышленные интерфейсы
Транзисторы

BC807-40 (5C)

Тип: PNP биполярный транзистор общего назначения Напряжение (Vce): -45 В Ток коллектора (Ic): -500 мА (0.5 А) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 5C (указывает на серию BC807-40) Применение: Коммутация нагрузки по «плюсу», драйверы средней мощности, усилители, логические интерфейсы
Транзисторы

2SC1623 (L6)

Тип: NPN биполярный транзистор общего назначения Напряжение (Vce): 50 В Ток коллектора (Ic): 100 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: L6 Применение: Малошумящие усилители, переключатели, предварительные каскады усиления Особенности: Высокая надежность и низкое напряжение насыщения
Транзисторы

S9014 (J6)

Тип: NPN биполярный транзистор (Low Noise / High Gain) Напряжение (Vce): 45 В Ток коллектора (Ic): 100 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: J6 Применение: Малошумящие предварительные усилители, высокочувствительные переключатели, обработка сигналов Особенности: Очень высокий коэффициент усиления (hFE) и минимальный уровень собственных шумов
Транзисторы

MMBT3904

Тип: NPN биполярный транзистор общего назначения Напряжение (Vce): 40 В Ток коллектора (Ic): 200 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 1AM Применение: Переключатель общего назначения, драйвер светодиодов/реле, логические инверторы, усиление малых сигналов Особенности: Быстрое переключение и высокая доступность (один из самых популярных в мире)
Транзисторы

S9015 (M6)

Тип: PNP биполярный транзистор (Low Noise / High Gain) Напряжение (Vce): -45 В Ток коллектора (Ic): -100 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: M6 Применение: Малошумящие предварительные усилители, высокочувствительные переключатели, обработка аудиосигналов Особенности: Сверхвысокий коэффициент усиления (hFE) и крайне низкий уровень собственных шумов
Транзисторы

2N7002 (7002)

Тип: N-канальный логический полевой транзистор (MOSFET) Напряжение (Vds): 60 В Ток стока (Id): 115 мА (до 300 мА в импульсе) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 7002 / K72 / RK7 Применение: Маломощные переключатели, согласование уровней (Logic Level Shifter), управление реле и светодиодами Особенности: Управляется напряжением (затвором), совместим с логикой 3.3 В и 5 В
Транзисторы

MMBT3906 (2A)

Тип: PNP биполярный транзистор общего назначения Напряжение (Vce): -40 В Ток коллектора (Ic): -200 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 2A Применение: Универсальный переключатель (по «плюсу»), инверторы сигналов, драйверы малой мощности
Транзисторы

s9018 (J8)

Тип: Высокочастотный NPN биполярный транзистор Напряжение (Vce): 15 В Ток коллектора (Ic): 50 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: J8 Применение: ВЧ-усилители, гетеродины, смесители, FM-радиоприемники, системы беспроводной передачи данных Особенности: Очень высокая граничная частота (до 1.1 ГГц)
Транзисторы

MMBTA42 (1D)

Тип: Высоковольтный биполярный NPN транзистор Напряжение (Vce): 300 В Ток коллектора (Ic): 500 мА Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 1D Применение: Видеоусилители, высоковольтные переключатели, драйверы газоразрядных ламп (Nixie), промышленные блоки питания
Транзисторы

MMBT2907 (2F)

Тип: PNP биполярный транзистор (универсальный / высокоскоростной переключатель) Напряжение (Vce): -40 В Ток коллектора (Ic): -600 мА (0.6 А) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: 2F Применение: Драйверы нагрузки по «плюсу», быстродействующие переключатели, усилители средней мощности
Транзисторы

AO3400 (A09T)

Тип: N-канальный MOSFET (полевой транзистор) Напряжение (Vds): 30 В Ток стока (Id): 5.8 А Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: A09T Применение: Силовые ключи, DC-DC преобразователи, управление нагрузкой (PWM), драйверы моторов Особенности: Очень низкое сопротивление открытого канала (Low Rds(on)) и поддержка логических уровней управления
Транзисторы

S8050

Тип: NPN биполярный транзистор общего назначения (High Current) Напряжение (Vce): 25 В Ток коллектора (Ic): 500 мА (в импульсе до 1.5 А) Корпус: SOT-23 (SMD) Маркировка на корпусе: J3Y Применение: Драйверы реле, управление мощными светодиодами, звуковые усилители (Push-Pull), ключевые схемы