W15NK90Z
SKD503T
2n2222
IRF9Z34N
2N6287
BSP298
AO4606
NCE4688
STN951
IXTQ82N25P
STN851
SI9945A
50JR22
IRFZ24N
Транзисторы
Транзисторы
2n2222
Тип элемента: Биполярный транзистор
Тип проводимости: NPN
Корпус: TO-92 (для выводного монтажа)
Максимальное напряжение:30 — 40 V (Vceo)
Максимальный ток: 0.6 A (600 mA)
Мощность рассеивания: 0.35 W (для SOT-23) / 0.625 W (для TO-92)
Коэффициент усиления hFE / сопротивление канала Rds(on): 00 – 300 (при Ic=150mA)
Частота / скорость переключения: до 300 MHz (высокочастотный)
Маркировка на корпусе: 2N2222 (для TO-92)
Аналоги / замены: BC547, PN2222, KTN2222, 2SC1815
Применение: ключ, усилитель, блок питания
Транзисторы
SKD503T
Тип: N-канальный MOSFET (полевой транзистор)
Напряжение питания / логики: Vds = 100В (сток-исток) / Vgs = ±20В
Ток / частота ШИМ: Id = 120А (постоянный ток)
Корпус: TO-220
Применение: Контроллеры моторов, управление батареями (BMS), мощные ИБП
Особенности: Очень низкое сопротивление канала (Low Rds-on), высокая надежность
Транзисторы
2N6287
Тип: Кремниевый мощный составной транзистор (PNP Darlington Transistor)
Напряжение (Vce): 100 В
Ток коллектора (Ic): 20 А (постоянный), 40 А (пиковый)
Мощность (Pd): 160 Вт
Корпус: TO-3 (металлический «герметичный»)
Применение: Линейные регуляторы, усилители мощности, управление мощными двигателями и реле
Особенности: Очень высокий коэффициент усиления (Hfe), встроенные защитные диоды и резисторы
Транзисторы
IXTQ82N25P
Тип: Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET (серия PolarHT™)
Напряжение (Vds): 250 В
Ток стока (Id): 82 А
Мощность (Pd): 540 Вт
Корпус: TO-220 (версия IXTQ)
Применение: Импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, системы бесперебойного питания (UPS), управление двигателями
Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, высокая устойчивость к лавинному пробою, быстрый затвор
Транзисторы
50JR22
Тип: Высокоскоростной IGBT-транзистор с полевым управлением (Discrete IGBT)
Напряжение (Vce): 600 В
Ток коллектора (Ic): 50 А (при 100°C)
Корпус: TO-3P / TO-247
Применение: Инверторные печи, индукционные плиты, сварочные аппараты, мощные системы плавного пуска
Особенности: Встроенный быстродействующий диод (FRD), низкое напряжение насыщения, высокая скорость переключения
Транзисторы
NCE4688
Тип: Complementary N- and P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Корпус: SOP-8
Напряжение (Vds): 30 В (N-канал) / -30 В (P-канал)
Ток (Id): 8.0 А (N-канал) / -7.0 А (P-канал)
Применение: Управление двигателями постоянного тока, инверторы ЖК-панелей, переключатели нагрузки
Транзисторы
W15NK90Z
Тип: N-канальный силовой MOSFET
Напряжение (Vds): 900 В
Ток стока (Id): 15 А
Мощность (Pd): 350 Вт
Корпус: TO-247
Применение: Импульсные блоки питания (SMPS), сварочные инверторы, промышленное оборудование
Особенности: Встроенная защита затвора (Zener-protected), очень высокое рабочее напряжение
Транзисторы
IRF9Z34N
Тип: P-канальный MOSFET (HEXFET® Power MOSFET)
Напряжение (Vdss): -55 В
Ток стока (Id): -19 А
Сопротивление (Rds on): 0.100 Ом
Корпус: TO-220AB
Особенности: Управление логическим уровнем не требуется (стандартное), быстрая коммутация, прочная конструкция
Транзисторы
IRFZ24N
Тип: N-канальный силовой MOSFET (серия Generation 5)
Напряжение (Vds): 55 В
Ток стока (Id): 17 А
Корпус: TO-220AB
Применение: Низковольтные DC-DC преобразователи, управление двигателями, реле, автомобильная электроника
Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, сверхбыстрое переключение
Транзисторы
AO4606
Тип: Двойной комплементарный MOSFET (N-Channel + P-Channel)
Напряжение (Vds): 30 В (N-Ch) / -30 В (P-Ch)
Ток стока (Id): 6.9 А (N-Ch) / -6 А (P-Ch)
Корпус: SOP-8
Применение: Инверторы подсветки мониторов, управление двигателями, переключатели нагрузки
Особенности: Два разных транзистора в одном корпусе (сборка), низкое сопротивление канала
Транзисторы
SI9945A
Тип: Двойной N-канальный силовой MOSFET
Напряжение (Vds): 60 В
Ток стока (Id): 3.7 А (при 25°C)
Корпус: SOP-8
Применение: Управление двигателями постоянного тока, коммутация нагрузки, портативная электроника
Особенности: Два идентичных N-канальных транзистора в одном корпусе (двойная сборка)
Транзисторы
BSP298
Тип: P-канальный SIPMOS силовой MOSFET
Напряжение (Vds): -60 В
Ток стока (Id): -2.3 А
Мощность (Pd): 1.8 Вт
Корпус: SOT-223
Применение: Реле, управление нагрузкой «по плюсу», высокоскоростное переключение
Особенности: Logic Level (управляется логическими уровнями), быстрая скорость переключения
Транзисторы
STN851
Тип: Сверхмощный биполярный NPN транзистор (Low Saturation Bipolar Transistor)
Напряжение (Vce): 60 В
Ток коллектора (Ic): 5 А (постоянный), 10 А (пиковый)
Напряжение насыщения (Vce(sat)): < 0.2 В (при Ic = 2 А)
Корпус: SOT-223
Применение: Линейные регуляторы тока, драйверы мощных светодиодов, управление затворами MOSFET, замена MOSFET в низковольтных схемах
Особенности: Исключительно низкое напряжение насыщения (Low SAT), высокая энергоэффективность
Транзисторы
STN951
Тип: Сверхмощный биполярный PNP транзистор (Low Saturation Bipolar Transistor)
Напряжение (Vce): -60 В
Ток коллектора (Ic): -5 А (постоянный), -10 А (пиковый)
Напряжение насыщения (Vce(sat)): < -0.25 В (при Ic = -2 А)
Корпус: SOT-223
Применение: Линейные регуляторы тока, управление нагрузкой по «плюсу», схемы защиты от переполюсовки, драйверы затворов MOSFET
Особенности: Исключительно низкое напряжение насыщения (Low SAT), идеальная комплементарная пара для NPN транзистора STN851
Транзисторы
IRFZ34N
Тип: N-канальный силовой MOSFET (HEXFET)
Напряжение (Vds): 55 В
Ток стока (Id): 29 А (при 25°C)
Корпус: TO-220
Применение: ШИМ-контроллеры, преобразователи напряжения, управление двигателями, UPS
Особенности: Низкое сопротивление открытого канала, высокая скорость переключения, доступность
Транзисторы
GT50J121
Тип: Дискретный IGBT транзистор (N-Channel)
Напряжение (Vces): 600 В
Ток коллектора (Ic): 50 А (при 25°C), 25 А (при 100°C)
Напряжение насыщения (Vce(sat)): 2.45 В (Typical)
Корпус: TO-3P(N) / TO-247
Применение: Индукционные плиты, инверторы, ИБП (UPS), сварочные аппараты
Особенности: Встроенный быстродействующий диод (Fast Recovery Diode), высокая скорость переключения
Транзисторы
IRFP470
Тип: N-канальный силовой MOSFET (Power MOSFET)
Напряжение (Vds): 500 В
Ток стока (Id): 25 А (при 25°C)
Корпус: TO-247 (AC)
Применение: Импульсные источники питания (SMPS), бесперебойники (UPS), сварочные инверторы, управление двигателями
Особенности: Высокое допустимое напряжение, низкое сопротивление в открытом состоянии для своего класса, высокая прочность при лавинном пробое
Транзисторы
IRF4905
Тип: P-канальный силовой MOSFET (HEXFET)
Напряжение (Vds): -55 В
Ток стока (Id): -74 А (при 25°C)
Корпус: TO-220
Применение: Управление нагрузкой по «плюсу», автомобильная электроника, мощные переключатели
Особенности: Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds on), высокая скорость переключения
Транзисторы
TF11N60
Тип: N-канальный силовой MOSFET (высоковольтный)
Напряжение (Vds): 600 В
Ток стока (Id): 11 А
Корпус: TO-220F (Full Pack — полностью изолированный пластиком)
Применение: Импульсные блоки питания (SMPS), LED-драйверы, адаптеры питания
Особенности: Изолированный корпус позволяет крепить транзистор к радиатору без слюдяной прокладки.
Транзисторы
25N120KDA
Тип: Дискретный IGBT транзистор с технологией NPT (Non-Punch Through)
Напряжение (Vces): 1200 В
Ток коллектора (Ic): 50 А (при 25°C), 25 А (при 100°C)
Напряжение насыщения (Vce(sat)): 2.5 В (Typical)
Корпус: TO-3P
Применение: Индукционные плиты, сварочные инверторы, ИБП (UPS), мощные электроприводы
Особенности: Встроенный быстродействующий диод (Co-packaged), высокая стойкость к коротким замыканиям, низкие потери на переключение